规格书 |
IPD144N06N G |
文档 |
Multiple Devices 26/Jul/2012 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 50A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 14.4 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 80µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 54nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1900pF @ 30V |
功率 - 最大 | 136W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 80µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 2,500 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 14.4 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 136W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1900pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 54nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IPD144N06NGINDKR |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 50 A |
系列 | IPD144N06 |
RDS(ON) | 14.4 mOhms |
功率耗散 | 135 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 29 ns |
零件号别名 | IPD144N06NGBTMA1 |
上升时间 | 35 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 11 ns |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Tc) |
IPD144N06N G也可以通过以下分类找到
IPD144N06N G相关搜索